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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Compara
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1954
2443
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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