RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
71
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1954
1650
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link