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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Compara
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
2443
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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