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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Compara
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
40
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
1844
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Jinyu 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
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