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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1857
2605
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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