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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1857
3156
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
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