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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Compara
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1857
2648
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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