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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Compara
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1857
2749
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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