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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2125
2354
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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