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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Compara
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2125
2631
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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