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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Compara
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
77
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
77
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1807
1440
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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