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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Compara
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1937
2945
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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