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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2510
2173
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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