RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Compara
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
39
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2510
1768
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link