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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Compara
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Puntuación global
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1489
2236
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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