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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1489
2542
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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