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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1731
2781
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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