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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
84
En -180% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
84
30
Velocidad de lectura, GB/s
5.0
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
2475
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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