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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
84
En -236% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
84
25
Velocidad de lectura, GB/s
5.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
2832
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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