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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
84
95
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
84
95
Velocidad de lectura, GB/s
5.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
1518
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
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