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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2817
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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