RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2659
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link