RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
19.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
4089
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link