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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2675
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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