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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
3017
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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