RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
4.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
4.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
1175
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link