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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
3260
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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