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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2848
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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