RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2082
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5402-073.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link