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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2900
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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