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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2394
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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