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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
60
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
60
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2359
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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