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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
8.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
1480
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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