RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2321
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link