RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Compara
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1546
2663
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link