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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3732
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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