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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3559
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Corsair VS2GSDS800D2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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