RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2601
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link