RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
74
En 64% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
74
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
1849
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link