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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
24.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
24.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
19.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
4174
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
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