RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
71
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
1757
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link