Comparación de la memoria RAM Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Puntuación global

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 28

En 4% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.3 11.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.4 8.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 10600

En 1.6 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1756 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns