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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2179
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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