RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2989
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link