RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2980
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link