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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
27
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
20
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3127
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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