RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
75
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
75
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
1763
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link