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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
75
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
75
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
1763
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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