RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3351
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO 5641162 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link