RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Compara
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Puntuación global
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
74
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
74
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
1779
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link