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Kingston HX316C10F/8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Compara
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Puntuación global
Kingston HX316C10F/8 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX316C10F/8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2585
3178
Kingston HX316C10F/8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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